单硫化锡（SnS）除了具有出色的光电性能外，还因为其无毒的特性和丰富的特性，因此是用于下一代太阳能电池的有前途的材料。川西幸子（Sakiko Kawanishi）和铃木一生（Sessei Suzuki）领导的团队成功地生长了SnS的大单晶，这可以为制造具有高转换效率的SnS太阳能电池提供一条途径。
由p型和n型SnS组成的p-n同质结是高效获得SnS太阳能电池的关键。由于与容易制造的p型SnS相比制造n型SnS的复杂性，迄今证明这种太阳能电池的制造是困难的。
通过助熔剂生长技术生长的SnS晶体。通过向助熔剂中添加卤素获得大的单晶。
为了解决该问题，该团队设计了一种用于SnS晶体通量增长的原始进料组合物。这是以前尚未成功试用过的内容。通过添加卤素，在生长的晶体中出现了显着变化，即，除了包括n型导电特性外，晶体尺寸扩大到最大24 mm的宽度。较大的晶体降低了具有p-n同质结的SnS太阳能电池试制的投入，这加快了实际应用的开发速度。
这些重要结果已在今日（2020年8月21日）的《晶体生长与设计》中发表。
参考：川西幸子，铃木一生，大泽武夫，大桥直树，柴田裕之和大mat孝彦撰写的“由添加卤素的锡助熔剂生长n型SnS的大单晶”，晶体生长与设计，2020年8月21日。
10.1021 / acs.cgd.0c00617
