研究人员发现了铁电超薄薄膜中反向转变的证据，这可能导致数据存储，微电子和传感器的发展进展。艺术家的概念。
过渡可能导致数据存储，微电子和传感器的进步。
逆转过渡似乎与紊乱随温度增加而违背了根本规律。它们已经在超导体和液晶中发现，但尚未在铁电材料中，具有电子和数据存储的各种用途。
在最近的一项研究中，阿肯色州大学物理研究人员发现了铁电超薄薄膜中反向转变的证据，这可能导致数据存储，微电子和传感器的发展进展。
yousra nahas。
“我们发现，在提高温度时，Yousra Nahas称为”铁林薄膜中的迷路域模式逆转录“的研究，题为”铁林薄膜迷住域图案“的第一个作者，无序迷宫阶段变换了更具订购的平行条纹结构。” 。前者展示了物理研究人员塞尔雷·普罗纳诺科，宾旭，谢尔盖·普拉斯坦德，以及杰出教授的Laurent Bellaiche，以及法国的同事也为该研究做出了贡献。
提出了一个世纪前的，这些类型的过渡似乎与紊乱随温度的增加而违背了根本规律。它们已在其他系统中发现，例如超导体，蛋白质，液晶和金属合金。但他们尚未发现在铁电材料中，这对科学家感兴趣，因为它们具有自发电极，可以通过电场的应用来逆转。
阿肯色州大学研究人员能够使用阿肯色州高性能计算中心模拟转型，该中心部分由阿肯色州经济发展委员会提供资金。法国的研究人员通过实验室实验表明了模型的预测。
“这些发现可以通过在铁电薄膜内实现基本的新设计原则和拓扑上增强的功能来实现超越当前技术，”纳哈斯说。
参考：Y. Nahas，S.Prokhorenko，J.Fischer，B. Xu，C.Carétéren，S.Prosandeev，M. Bibes，S. Fusil，B. Dkhil，V.Dkhil 。Garcia和L. Bellaiche，1月1日2020年，Nature.Doi：
10.1038 / s41586-019-1845-4
该研究得到了国防高级研究项目机构和陆军研究办公室的补助金。
