在其类型的器件中，Yuping Zeng教授的晶体管具有记录设置性能，包括记录低栅极漏电流（电流损耗的度量），记录高开/关电流比（在ON之间传输的电流差异的大小状态和关闭状态）和记录的高电流增益截止频率（可以通过各种频率传输多少数据的指示）。
我们依赖的许多技术从智能手机到可穿戴设备等等，利用快速无线通信。如果这些设备传输信息甚至更快，我们可能会完成什么？
“与我们的时代为5克，看到曾教授的记录设定晶体管作为对该领域的主要贡献非常令人兴奋。” - Dennis Prather，特拉华大学工程工程校友电气电脑工程教授
这就是特拉华大学电气和计算机工程助理教授的Yuping曾，旨在发现。她和一支研究人员最近创造了一种高电子迁移率晶体管，该装置通过氧化铝氮化铟铝 - 氮化铟镓（GaN）在氮化铝基族玻璃上放大和控制电流的装置。他们在杂志应用物理表达中描述了它们的结果。
在其类型的器件中，Zeng的晶体管具有记录设置性能，包括记录低栅极漏电流（测量电流损耗），记录高开/关电流比（在ON状态之间传输的电流差异的大小关闭状态）和记录高电流增益截止频率（可以通过各种频率传输多少数据的指示）。
Yuping曾教授（右）和研究生彭崔在晶体管的设计上工作，可以实现更便宜，更快的无线通信。
该晶体管可用于更高的带宽无线通信系统。对于给定电流，它可以处理更多的电压，并且需要比其类型的其他设备更少的电池寿命。
“我们正在制作这个高速晶体管，因为我们希望扩大无线通信的带宽，这将为我们提供更多信息，以便有限的时间，”曾。“它也可用于空间应用，因为我们使用的氮化镓晶体管是辐射稳健，并且它也是宽的带隙材料，因此它可以容忍大量的功率。”
该晶体管代表了材料设计和设备应用设计中的创新。晶体管在低成本硅衬底上制造，“该过程也可以与硅互补金属 - 氧化物半导体（CMOS）技术相容，这是用于半导体的传统技术，”Zeng说。
最近纸张中描述的晶体管只是许多人来的第一个。
“我们正试图继续打破我们的录音，无论是低功耗应用还是高速应用，Zeng说。”该团队还计划使用晶体管来制造功率放大器，这些功率放大器对于无线通信以及其他互联网。
Dennis Prather，工程校友电气计算机工程教授，是应用物理快报纸上的共同作者。“随着5克的时代，看到曾教授的记录设定晶体管作为对该领域的主要贡献非常令人兴奋，”他说。“她的研究是世界着名，ECE系很幸运能够让她在其教职员工。
曾曾的小组还在透明的氧化钛晶体管上工作，可以用于背板显示器，与目前商业上使用的铟 - 镓 - 氧化锌（Ingazno）晶体管竞争。
Dennis Prather，工程校友电气计算机工程教授，是应用物理快报纸上的共同作者。
“随着5克的时代，看到曾教授的记录设定晶体管作为对该领域的主要贡献非常令人兴奋，”他说。“她的研究是世界着名，ECE系很幸运能够让她在其教职员工。为此，5G在几乎所有方面都在移动通信和无线网络的各个方面都迎来了一波新技术，让UD的ECE部门在前沿，与曾教授的杰出研究，真的是一件美妙的事情。“
几个UD特拉华州单位帮助曾县的集团设定了他们的新纪录。该组在UD纳米制造设施中制造了它们的装置。新应用物理快报纸上第一作者彭崔彭崔已通过博士创业博士历创新研究员和科学研究空军办公室获得资金。
参考：高性能Inaln / GaN Hemts在硅衬底上，高FT×LG由Peng Cui，Andrew Mercante，广阳林，杰章，彭耀，Dennis W. Prather和Yuping Zeng，2019年9月4日，应用物理学Express.doi：
10.7567 / 1882-0786 / AB3E29
